Descripción
ciclos de escritura superiores (hasta 100.000 ciclos de escritura o 10 veces mayores que los productos de consumo). |
nivelación de desgaste estática y dinámica. |
capacidad de código de corrección de errores (40 bits/1k). |
retención de datos de 1 año al final de la vida útil de la memoria flash. |
admite aprovisionamiento inteligente del sistema operativo (sólo compatible para soluciones de arranque del sistema operativo). |
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